快速晶闸管快恢复整流管模块

快速晶闸管快恢复整流管模块

台基股份产品手册2018中文版-31

产品特点

·芯片与底板电气绝缘

·国际标准封装

·压接结构，优良的温度特性和功率循环能力

·安装简单，使用维修方便

·体积小，重量轻

典型应用

·逆变器 ·感应加热 ·斩波器

说明

·VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+100V

·除非另做说明，IGT，VGT，IH，VTM均为25℃测试值。表中参数皆为在TJM下的测试值。

·I²t=I²FSMtW/2; tW=正弦半波电流底宽。在50HZ下，I²t (10ms)=0.005I²TSM(A²S)

型号	IT(AV)@TC	VDRMVRRM	ITSM	I2t	tq	dv/dt		di/dt	IDRMIRRM	IGT	VGT		IH		VTM/ITM		VTO		rT	Rth(j-c)	Tjm	外形
			10ms		100℃	115℃					25℃							115℃			Per chip
	A ℃	V	kA	kA2S	μs	V/μs	A/μs		mA	mA		V		mA		V/A	V	m.ohm		℃/W	℃
LxC75	75 85	600-1600	1.6	13	15-35	800	200		30	200		2.5		200		2.6/225	0.85	4.88		0.200	115	M7
LxC150	150 85	600-1600	3.4	58	15-35	800	200		40	200		2.5		200		2.65/450	0.85	1.66		0.140	115	M7
LxC200	200 85	600-1600	4.8	115	15-35	800	200		50	200		2.5		200		2.65/600	0.90	1.15		0.100	115	M7
LxC300	300 85	600-1600	7.3	266	15-35	800	200		80	200		3.0		200		1.75/900	0.90	0.74		0.070	115	M9
LxC300*	300* 55	600-1600	5.6	160	15-35	800	200		50	200		3.0		200		2.20/900	0.90	1.17		0.110	115	M19
LxC400*	400* 55	600-1600	7.8	310	15-35	800	200		80	200		3.0		200		2.4/1200	0.90	0.80		0.087	115	M21

型号	IF(AV)@TC	VRRM	IFSM	I2t	IRRM	trr	VFM/IFM	VTO	rT		Rth(j-c)	Tjm	外形
			10ms			140℃		25℃	140℃			Per chip
	A ℃	V	kA	kA2s	mA	μs	V/A	V		m.ohm	℃/W	℃
LZC75	75 100	600-1600	2.00	20	20	4.0	2.00/225	0.80		4.25	0.310	140	M7
LZC150	150 100	600-1600	3.80	72	30	4.0	1.60/450	0.80		1.38	0.210	140	M7
LZC200	200 100	600-1600	5.50	151	40	4.0	1.58/600	0.85		0.92	0.150	140	M7
LZC300	300 100	600-1600	8.30	344	70	4.0	1.55/900	0.85		0.58	0.100	140	M9
LZC300*	300* 60	600-1600	6.00	180	40	4.0	2.05/900	0.85		1.06	0.160	140	M19